Tranzistor
Autor: rox85
Typ práce: Referát
Typ práce: Referát
Dátum: 09.04.2009
Jazyk:
Jazyk:
Rozsah: 535 slov
Počet zobrazení: 8 225
Počet zobrazení: 8 225
Tlačení: 713
Uložení: 704
Uložení: 704
K nejdůležitějším polovodičovým součástkám patří tranzistor. Tvoří ho krystal polovodiče se dvěma přechody PN.Je to označení polovodičové triody nebo tetrody schopné zesilovat výkon. Tranzistor obsahuje minimálně tři elektrody, a to zdrojovou – emitor (E), sběrnou – kolektor (C) a jednu nebo dvě řídicí – báze (B). Elektrody E, B a C se stýkají ve dvou přechodech. Podle sledu vodivosti se vyrábějí tranzistory typu PNP a NPN. U tranzistorů typu NPN směřuje šipka označující emitor z tranzistoru a u typu PNP má šipka směr opačný. Ke kolektoru, bázi a emitoru jsou připojeny kovové elektrody,které mají shodné názvy. Proto je pro tranzistor charakteristické, že z pouzdra, které chrání polovodičový systém, vycházejí obvykle tři vývody.Pomocí nich se tranzistor připojuje do obvodu.
Jak tedy funguje tranzistor?
Za normálního provozu je přechod E – B polarizován vnějším napětím v propustném směru a přechod B – C ve směru závěrném. Zesilovací schopnost tranzistoru spočívá v tom, že malá změna proudu do báze při malém napětí vyvolá velkou změnu proudu kolektoru při velkém napájecím napětí kolektoru. Ze zatěžovacího odporu v kolektorovém obvodu lze odebírat mnohem větší výkon, než jaký je dodáván do obvodu báze. Tranzistor lze zapojit v obvodu třemi způsoby podle elektrody, která je společná vstupu i výstupu, se společným emitorem jako SE, bází SB a kolektorem SC. Proudový zesilovací činitel (h) pro dané zapojení udává, kolikrát je větší proud ve výstupním obvodu vůči vstupnímu. V zapojení SE bývá 20 – 1 000 h, v zapojení SB je 0,9 – 0,99 h, v zapojení SC je 0,95 – 0,995 h.
Objevení tranzistoru
Při zapojení do obvodu dochází k tzv. tranzistorovému jevu, který v roce 1947 objevili američtí fyzikové Bardeen, Brattain a Shockley při studiu Germania. První tranzistor zkonstruovali v roce 1948. Bází byla destička germania vodivosti N, na níž dosedaly v malé vzdálenosti dva hroty jako E a C. 1950 byl tento tranzistor nahrazen dokonalejším plošným tranzistorem z vrstev germania a později křemíku s vodivostí PNP, později i NPN. V roce 1956 pak obdrželi Nobelovu cenu.
Vyjádřily ta pak v jednom ze zákonů:
Malé napětí vzbuzuje v obvodu báze proud, který je příčinnou mnohokrát většího proudu v obvodu kolektorovém. Dalším zdokonalováním technologie výroby tranzistoru se zlepšovaly vysokofrekvenční a výkonové parametry. Tranzistory se začaly dělit na nízkovýkonné a výkonové, vysokofrekvenční, nízkofrekvenční a spínací, nízkošumové ap. Podle technologie výroby vznikly tranzistory slitinové, mesa, tranzistory planární, řízené elektrickým polem (MES, MIS, MOS, FET, JFET), tranzistor se dvěma bázemi (tetroda), s kovovou bází, s více emitory a podobně.
C
Podle využití a funkce se dělí na dva druhy. Jsou jimi bipolární a unipolární tranzistory.
Bipolární tranzistor je druh tranzistoru, kde se uplatňují jak většinové (majoritní), tak i menšinové (minoritní) nosiče náboje (tzn. nosiče obojí polarity), tedy elektrony i díry. Bipolární tranzistor se řídí vstřikováním (injektováním) menšinových nosičů do báze. Existují ve struktuře PNP i NPN, nejčastěji ve formě plošného tranzistoru.
Unipolární tranzistor je druh tranzistoru, u kterého je proud přenášen pouze jedním druhem nosičů náboje, a to děrami nebo elektrony. Hlavními představiteli unipolárních tranzistorů jsou tranzistory řízené elektrickým polem (FET).- z angl. Field Effect Tranzistor. Od bipolárního se liší hlavně tím, že kolektorový proud není řízen vstupním proudem, ale napětím.
Čerpáno z knihy:
1/ Fyzika- Elektřina a magnetismus,nakl.Prometheus,r.2000
2/ Encyklopedie Diderot 2001
Jak tedy funguje tranzistor?
Za normálního provozu je přechod E – B polarizován vnějším napětím v propustném směru a přechod B – C ve směru závěrném. Zesilovací schopnost tranzistoru spočívá v tom, že malá změna proudu do báze při malém napětí vyvolá velkou změnu proudu kolektoru při velkém napájecím napětí kolektoru. Ze zatěžovacího odporu v kolektorovém obvodu lze odebírat mnohem větší výkon, než jaký je dodáván do obvodu báze. Tranzistor lze zapojit v obvodu třemi způsoby podle elektrody, která je společná vstupu i výstupu, se společným emitorem jako SE, bází SB a kolektorem SC. Proudový zesilovací činitel (h) pro dané zapojení udává, kolikrát je větší proud ve výstupním obvodu vůči vstupnímu. V zapojení SE bývá 20 – 1 000 h, v zapojení SB je 0,9 – 0,99 h, v zapojení SC je 0,95 – 0,995 h.
Při zapojení do obvodu dochází k tzv. tranzistorovému jevu, který v roce 1947 objevili američtí fyzikové Bardeen, Brattain a Shockley při studiu Germania. První tranzistor zkonstruovali v roce 1948. Bází byla destička germania vodivosti N, na níž dosedaly v malé vzdálenosti dva hroty jako E a C. 1950 byl tento tranzistor nahrazen dokonalejším plošným tranzistorem z vrstev germania a později křemíku s vodivostí PNP, později i NPN. V roce 1956 pak obdrželi Nobelovu cenu.
Vyjádřily ta pak v jednom ze zákonů:
Malé napětí vzbuzuje v obvodu báze proud, který je příčinnou mnohokrát většího proudu v obvodu kolektorovém. Dalším zdokonalováním technologie výroby tranzistoru se zlepšovaly vysokofrekvenční a výkonové parametry. Tranzistory se začaly dělit na nízkovýkonné a výkonové, vysokofrekvenční, nízkofrekvenční a spínací, nízkošumové ap. Podle technologie výroby vznikly tranzistory slitinové, mesa, tranzistory planární, řízené elektrickým polem (MES, MIS, MOS, FET, JFET), tranzistor se dvěma bázemi (tetroda), s kovovou bází, s více emitory a podobně.
C
Podle využití a funkce se dělí na dva druhy. Jsou jimi bipolární a unipolární tranzistory.
Bipolární tranzistor je druh tranzistoru, kde se uplatňují jak většinové (majoritní), tak i menšinové (minoritní) nosiče náboje (tzn. nosiče obojí polarity), tedy elektrony i díry. Bipolární tranzistor se řídí vstřikováním (injektováním) menšinových nosičů do báze. Existují ve struktuře PNP i NPN, nejčastěji ve formě plošného tranzistoru.
Unipolární tranzistor je druh tranzistoru, u kterého je proud přenášen pouze jedním druhem nosičů náboje, a to děrami nebo elektrony. Hlavními představiteli unipolárních tranzistorů jsou tranzistory řízené elektrickým polem (FET).- z angl. Field Effect Tranzistor. Od bipolárního se liší hlavně tím, že kolektorový proud není řízen vstupním proudem, ale napětím.
Čerpáno z knihy:
1/ Fyzika- Elektřina a magnetismus,nakl.Prometheus,r.2000
2/ Encyklopedie Diderot 2001
Podobné práce | Typ práce | Rozsah | |
---|---|---|---|
Vývoj diód a tranzistorov | Referát | 10 slov |
Vyhľadaj ďalšie študentské práce pre tieto populárne kľúčové slová:
#tranzistor #tranzistory #polovodiče #Technológie výroby tranzistorovVygenerované za 0.014 s.